Puslaidininkių technologijų ir charakterizavimo atviros prieigos centras (PTC APC)

 

Kristalinių sluoksnių epitaksijos iš metalo-organinių medžiagų garų fazės reaktorius (angl. k. MOCVD arba MOVPE)

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Reaktorius skirtas III grupės nitridinių epitaksinių sluoksnių (GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, BGaN) bei jų darinių (kvantinės duobės, supergardelės ir t. t.) auginimui MOCVD būdu ant safyro, SiC, GaN bei Si padėklų didelės galios elektronikos ir optoelektronikos prietaisams (šviestukų, lauko tranzistorių, diodų ir saulės elementų).

Reaktoriuje auginamų sluoksnių savybės:

  1. specialiai nelegiruotas GaN (uGaN), tamsinė minimali krūvininkų koncentracija ne=1016 cm-3, elektronų judris µe=250 cm2/Vs; sluoksnio greitis 0,1¸2,5 mm/h, maksimalus sluoksnio storis iki 15 m

  2. n-tipo GaN (legiruotas Si), ne =1016¸1018 cm-3, m=150¸250 cm2/Vs, sluoksnio augimo greitis 1¸2,5 mm/h.

  3. p-tipo GaN (legiruotas Mg), nh=1016¸1018 cm-3, m=5¸10 cm2/Vs, sluoksnio augimo greitis 0,1¸0,5 mm/h.

  4. InGaN – In koncentracija gali būti keičiama nuo 1% iki 30% ir nuo 60% iki 99%, InGaN lydinio su In koncentracija nuo 30% iki 59% (tyrimų stadija), ne =1017¸1020 cm-3, m=100¸230 cm2/Vs, judrio vertės priklauso nuo In koncentracijos, sluoksnio augimo greitis 50¸200 nm/h, galima legiruoti Si arba Mg.

  5. InN - ne =1018¸1020 cm-3, m=600 cm2/Vs, sluoksnio augimo greitis 50¸100 nm/h.

  6. AlGaN – Al koncentracija nuo 1% iki 100% (AlN), augimo greitis 0,05¸1 mm/h, galimas sluoksnio storis priklausomai nuo padėklo nuo 1 nm iki 1 m

  7. AlInN ir BGaN tyrimų stadija.

  8. Iš aukščiau minėtų kristalinių sluoksnių suformuoti sudėtingi dariniai (pvz. InGaN/GaN kvantinės duobės).

Galimi padėklai: safyras, Si, SiC, tūrinis GaN.

Vienu metu galima auginti ant trijų padėklų.

III grupės nitridinių puslaidininkinių darinių (GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, BGaN pavieniu sluoksnių ir daugybinių struktūrų) epitaksija MOCVD metodu.

Dr. Arūnas Kadys

Skenuojantis elektroninis mikroskopas (SEM) su rentgeno spindulių energijos dispersijos (EDX) ir elektroninio spindulio indukuotų srovių (EBIC) matavimo priedais

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Skenuojantis elektroninis mikroskopas skirtas įvairių kietų medžiagų paviršiaus morfologiniams ir struktūriniams tyrimams (paviršiaus atvaizdavimui ir jo nuotraukų darymui); mikroskopo EDS priedėlis skirtas lokalios cheminės sudėties nustatymui kietose medžiagose ir cheminių elementų erdvinio pasiskirstymo tiriamo objekto paviršiuje žemėlapių sudarymui; mikroskopo EBIC priedėlis skirtas puslaidininkinių medžiagų paviršių ir p-n sandūrų elektrinių savybių (krūvininkų difuzijos nuotolio matavimai, sandūros ar paviršiaus laidumo žemėlapio sudarymas) tyrimams.

Skenuojantis elektroninis mikroskopas:

Elektronų šaltinis - Šotki tipo lauko emisijos elektronų patranka.

Antrinių (angl. k. SE) ir atgal sklaidytų (angl. k. BSE) elektronų detektoriai.

Elektronų greitinimo įtampa nuo 5 iki 20 kV.

Maksimali skyra 2 nm esant 20 kV.

Matavimai atliekami bandiniui esant aukštame vakuume (nuo 10-7 Bar).

Maksimalus tiriamo bandinio dydis: diametras ne didesnis nei 15 cm, aukštis ne daugiau nei 5 cm.

Rentgeno spindulių energijos dispersijos matavimo priedas:

Skiriamoji geba pagal energiją Mn Ka 100,000 impulsų per sekundę 125 eV intervale.

Aptinkamų medžiagų intervalas yra nuo berilio (4) iki plutonio (94).

Detektoriaus aktyvios dalies plotas 50 mm2.

Programinės įrangos galimybės: galimas galima taškinė, linijinė arba erdvinė cheminių elementų pasiskirstymo analizė, galimas automatinis arba rankinis cheminio elemento atpažinimas.

Elektroninio spindulio indukuotų srovių (EBIC) matavimo priedas:

EBIC signalas yra susietas su SEM vaizdu.

Yra EBIC signalo optimizavimo įrankiai.

Yra galimybė matuoti bandinio U-I charakteristiką.

Bandinio laikiklis turi 2 zondus.

Bandinio laikiklis gali būti pasuktas kampu iki 1800.

Maksimalus bandinio diametras 1 cm.

Kietų medžiagų paviršių tyrimai skenuojančiu elektroniniu mikroskopu; kietų medžiagų cheminė mikroanalizė skenuojančiu elektroniniu mikroskopu su EDS/EDX priedėliu; p-n sandūrų ir puslaidininkinių medžiagų paviršių tyrimai skenuojančiu elektroniniu mikroskopu su EBIC priedėliu.

Dr. Arūnas Kadys

Jonų reakcinio ėsdinimo įrenginys

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įranga skirta ėsdinti mesa struktūras epitaksiniuose puslaidininkių sluoksniuose. Sistema turi lazerinį (λ=660 nm) interferometrą skirtą in-situ sluoksnio ėsdinimo spartos kontrolei. Prie sistemos yra prijungtas Cl2, BCl3, O2, SF6 ir Ar dujų tiekimas. Apatinio elektrodo temperatūra gali būti keičiama nuo -30 iki 80 °C, ICP šaltinis 600W galios. Vienu metu ėsdinamas vienas bandinys, geriausi rezultatai pasiekiami bandiniams, kurių diametras yra iki 2‘‘, tačiau yra galimybė ėsdinti bandinius iki 8‘‘ diametro. Ėsdinamų struktūrų gylio ir pločio santykis iki 20:1.

Puslaidininkių struktūrų ėsdinimas sausuoju būdu.

Dokt. Ignas Reklaitis

Greito termino atkaitinimo krosnis

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Kaitinimo krosnis pritaikyta kaitinti medžiagas iki 1200 °C, vakuume, azoto, argono arba deguonies atmosferoje arba išvardintų dujų mišinyje. Kaitinimo sparta >150 K/s, vėsimo greitis ~100 K/min. Kaitinimo kameros dydis 10x100x100 mm.

Spartus medžiagų atkaitinimas nuo 0 iki 1200 °C, puslaidininkinių sluoksnių aktyvavimui, metalizuotų kontaktų atkaitinimui

 Dokt. Ignas Reklaitis

Optinio polinimo stendas

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Optinio polinimo stendas suteikia galimybę, naudojant tarpusavyje koherentinius pirmos ir antros Nd:YAG lazerio spindulius, plonasluoksnėse polimerinėse medžiagose sukurti antros eilės netiesinės optinės jutos tūrines gardeles. Stendo priemonėmis yra registruojamos šių tūrinių gardelių rašymo bei relaksacijos (jų išsitrynimo) kinetikos, pagal kurių pavidalą, modeliuojant optinio polinimo eigą, galima nustatyti esminius procesus bei juos charakterizuojančius parametrus (pavyzdžiui, azochromoforų cis→trans termoizomerizacijos sparta, molekulių orientacinės difuzijos koeficientai). Optinio polinimo kinetikas galima matuoti plačiame temperatūrų intervale (10 – 300 K), tokiu būdu nustatant parametrų aktyvacines energijas.

Galima matuoti optinio polinimo procesus, kuriuos charakterizuojanti laiko pastovioji yra ne trumpesnė nei 10 s. Bandinių kiekis neribojamas.

Molekulių optinio polinimo tyrimas

Dr. Roland Tomašiūnas

4-ių zondų varžos matavimo ir puslaidininkinio kristalo laidumo tipo nustatymo prietaisas (Jandel keturių zondų sistema su RM3000 testavimo įranga)

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įranga skirta atlikti paviršinės bei tūrinės varžos matavimams keturių zondų metodu ir nustatyti bandinio laidumo tipą. Platus parametrų intervalas, aukšta prietaiso kokybė, kontaktų varžos nebuvimas užtikrina tikslius rezultatus ir supaprastina matavimo procedūrą. Įrangos veikimas pagrįstas keturių adatos tipo elektrodų kontaktu su bandinio paviršiumi. Tekant elektros srovei per du elektrodus, kiti du naudojami susidariusiam potencialų skirtumui registruoti. Gauti ir apdoroti duomenys gali būti išsaugoti ir perkeliti į kompiuterį. Įranga idealiai tinka bet kokios formos nedidelių bandinių, turinčių plokščią paviršių, varžos ir laidumo tipui nustatyti.

Matuojamas vienas bandinys.

Matavimo įtampa: 0,01 - 1250mV;

Matavimo srovės stipris: 10nA – 99,99mA;

Paviršinė varža: 1mΩ/□ – 500 MΩ/□ (yra galimybė atlikti matavimus ir už šio intervalo ribų, tačiau mažėja rezultatų tikslumas);

Tūrinė varža: 1 mΩ.cm – 1 MΩ.cm (galimybė atliki matavimus už šio intervalo ribų priklauso nuo bandinio storio);

Bandinio diametras iki 76 mm.

Varžos matavimas keturių zondų metodu (paviršinės ir savitosios varžos nustatymui). Labiausiai tinkamas Silicio bei metalinių plonų sluoksnių technologijoms.

Dr. Vitalijus Bikbajevas

Ecopia HMS-3000 Holo matavimų įranga

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įranga skirta įvairių medžiagų charakterizavimui, savitosios varžos, krūvininkų judrio bei koncentracijos matavimui, panaudojant Holo efektą.

Yra voltamperinės charakteristikos matavimo galimybė;

Matuojama 1 nA – 20 mA srovės ribose;

Maksimalus bandinio dydis: 2cm×2cm;

Matuojamos medžiagos: visi puslaidininkiai, įskaitant Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaN, InP, GaN (n ir p tipo);

Savitosios varžos matavimo ribos: 10-4 – 107 Ω∙cm;

Krūvininkų judrio matavimo ribos: 1 – 107 cm2/V∙s;

Krūvininkų koncentracija: 107 – 1021 cm-3;

Kiti matuojami dydžiai: laidumas, magnetovarža, Holo koeficientas, V/H varžos santykis.

Bandinių charakterizavimas Holo metodu. GaN, Si sluoksnių matavimai.

Dr. Vitalijus Bikbajevas

Šlifavimo ir poliravimo įrenginys Struers LaBoPol – 1

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Poliravimo disko sukimosi sparta 250 RPM, bandinių laikiklis sukasi 8 RPM

 Įvairių plokščių paviršių mechaninis poliravimas.

 Dokt. Ignas Reklaitis

NIR spektrometras su CCD kamera ir priedais, spektrinis diapazonas 0,8-2,2 µm

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

NIR spektrometras su CCD kamera yra skirtas fotoliuminescencijos spektrų registravimui artimajame infraraudonajame spektriniame diapazone (0,8-2,2 µm).

Liuminescencijos signalas išskaidomas naudojant 30 cm spektrometrą, ir registruojamas surištųjų krūvių kamera 0,8-2,2 µm bangos ilgių intervale. Siekiant sumažinti triukšmus, kamera šaldoma vandeniu iki
-90 oC. Bandinių liuminescencija gali būti sužadinama turimais nuolatinės veikos ir impulsiniais lazeriais.

CCD spektrinis intervalas – 0,8-2,2 µm

Spektrometro gardelės:

150 l/mm, 1100-1500 nm intervalas

150 l/mm, 1600-2100 nm intervalas

300 l/mm, 1500-1900 nm intervalas

Yra galimybė signalą į spektrometrą įvesti šviesolaidžiu

Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis NIR spektro ruože

Dr. Jūras Mickevičius

Daugiakanalė spektroskopijos analizės įranga, spektrinis diapazonas 200-850 nm, komplektas

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Nanosekundinės liuminescencinės spektroskopijos kompleksas yra skirtas fotoliuminescencijos spektrų registravimui UV-VIS spektro ruože stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis bei su nanosekundine laikine skyra.

Liuminescencijos signalas gali būti registruojamas, naudojant vandeniu šaldomą fotodaugintuvą 160-930 nm bangos ilgių intervale su aukšta spektrine rezoliucija arba surištųjų krūvių kamerą 180-850 nm bangos ilgių intervale.

Bandinių liuminescencija gali būti sužadinama nuolatinės veikos He-Cd lazeriu (325 nm), nanosekundiniu YAG:Nd lazeriu ir jo aukštesnėmis harmonikomis (iki 5-tos harmonikos, 213 nm) bei nanosekundiniu parametriniu lazeriu, kurio bangos ilgis gali būti keičiamas intervale 210-2300 nm.

Matavimai gali būti atliekami temperatūrų intervale 8-300 K, naudojant uždaro ciklo helio kriostatą.

Fotodaugintuvo spektrinis intervalas 160-930 nm

ICCD spektrinis intervalas 180-850 nm

Spektrometro SR-500 gardelės:

300 l/mm, 230-700 nm intervalas

300 l/mm, 275-900 nm intervalas

600 l/mm, 200-650 nm intervalas

Monochromatoriaus HRD-1 gardelės:

1200 l/mm, 190-700 nm intervalas

1200 l/mm, 400-1300 nm intervalas

Temperatūrų intervalas – 8-300 K

Laikinė skyra – 2 ns

He-Cd lazerio bangos ilgis – 325 nm, maksimali galia 6 mW

YAG:Nd lazerio ir harmonikų modulių bangos ilgiai – 1064, 532, 355, 266, 213 nm, impulso trukmė – 4 ns, maksimali impulso energija – 250 mJ@1064 nm, 120 mJ@532 nm, 80 mJ@355 nm, 30 mJ@266 nm, 8 mJ@213 nm

Parametrinio lazerio bangos ilgių intervalas – 210-2300 nm, impulso trukmė – 4 ns, maksimali impulso energija – iki 5 mJ@210-420 nm, iki 30 mJ@420-2300 nm

Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis ir su nanosekundine laikine skyra UV-VIS spektro ruože

Prof. Gintautas Tamulaitis

Daugiafunkcinė mikroskopijos sistema: atominės jėgos mikroskopas (AFM), konfokalinis mikroskopas ir artimojo lauko optinis mikroskopas (SNOM)

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Daugiafunkcinę mikroskopijos sistemą WITec Alpha 300 sudaro atominės jėgos mikroskopo, konfokalinio mikroskopo ir artimojo lauko skenuojančiojo optinio mikroskopo moduliai. Įranga įgalina tirti bandinius su aukšta erdvine skiriamiaja geba. Atominės jėgos mikroskopas veikia kontaktiniame režime ir charakterizuoja bandinių paviršiaus morfologiją ~10 nm skiriamaja geba. Konfokalinis mikroskopas skirtas tirti bandinių fotoliuminescencijos parametrų (intensyvumo, juostos smailės padėties ir pločio) erdvinį pasiskirstymą. Konfokalinio mikroskopo skiriamoji geba bandinio paviršiaus plokštumoje yra apie 250 nm, o plokštumoje, statmenoje bandinio paviršiui ­ 800 nm. Artimojo lauko skenuojantysis optinis mikroskopas vienu metu gali tirti paviršiaus morfologiją ir erdvinį liuminescencijos pasiskirstymą. Optinė skiriamoji geba yra ~100 nm. Paviršiaus morfologija charekterizuojama ~200 nm skiriamaja geba.Bandinių fotoliuminescencija žadinama nuolatinės veikos He-Cd lazerio 442 nm bangos ilgio spinduliuote arba lazerinio diodo 405 nm bangos ilgio spinduliuote. Liuminescencija registruojama 350-850 nm bangos ilgių ruože spektrometru su surištųjų krūvininkų kamera arba fotodaugintuvu.

AFM skiriamoji geba ~ 10nm

Konfokalinio mikroskopo skiriamoji geba bandinio paviršiaus plokštumoje yra apie 250 nm, o plokštumoje, statmenoje bandinio paviršiui ­ 800 nm.

Artimojo lauko skenuojančiojo optinio mikroskopo skiriamoji geba ~100 nm, paviršiaus morfologija charekterizuojama ~200 nm skiriamaja geba.

Didžiausias vieno matavimo plotas 80×80 µm2.

Liuminescencija registruojama 350-850 nm bangos ilgių ruože.

Aukštos skaitinės apertūros (NA) objektyvai: 50× NA=0,55; 60× NA=0,8; 100× NA=0,9. Visi matavimai atliekami kambario temperatūroje.

Paviršiaus morfologijos matavimas atominės jėgos mikroskopu (AFM)

Erdviškai išskirtos liuminescencijos matavimai konfokaliniu mikroskopu

Erdviškai išskirtos liuminescencijos matavimai artimojo lauko skenuojančiuoju optiniu mikroskopu (SNOM)

Prof. Gintautas Tamulaitis

Impulsinis X-dažnio juostos EPR spektrometras (Bruker Elexsys E580)

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

EPR spektrometras Bruker Elexsys-E580 veikia X-juostos (~10GHz) mikrobangų (MB) ruože nuolatinio ir impulsinio zondavimo režimais. Pagrindiniai spektrometro komponentai yra mikrobangų rezonatorius, į kurį patalpinamas bandinys, mikrobangų tiltas, elektromagnetas, maitinimo šaltinis magnetui, elektroninis blokas, kuriame sumontuotas ir oscilografas, bei kompiuteris duomenims registruoti bei analizuoti. Rezonatoriai gali būti patalpinami į specialius kriostatus, ir, naudojant skystą azotą arba skystą helį, matavimai gali būti atliekami žemose temperatūrose. Taip pat, naudojant kaitinimo elementus, matavimai gali būti atliekami aukštesnėse temperatūrose. Temperatūra valdoma ir stabilizuojama kompiuteriu.

Vienas bandinys vieno matavimo metu.

Maksimalus magnetinis laukas 1,5 T, matavimai temperatūros intervale nuo 4 K iki 300 K, mikrobangų galia - 150 mW.

Nesuporuotų elektronų sukinių (EPR) spektrinė analizė defektų, priemaišų, laisvųjų radikalų identifikavimui kristaliniuose ir organiniuose dariniuose

Elektronų sukinių (EPR) spektrinė analizė defektų, priemaišų, laisvųjų radikalų identifikavimui kristaliniuose ir organiniuose dariniuose temperatūroje nuo 4K iki 300K.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Radiacinių defektų tankio ir dozimetrijos įrenginys VUTEG-5 hadronų apšvitoms kontroliuoti

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įrenginys veikia mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo kinetikų registravimo principu. Pagrindiniai įrenginio komponentai yra mikrobangų generatorius, detektorius ir derinamasis traktas, krūvininkus generuojantis impulsinis mikrolustinis lazeris ir plyšinė antena.

Vienas bandinys vieno matavimo metu.

Lazerio impulso trukmė – 400 ps, pirmos harmonikos spinduliuotės bangos ilgis 1062 nm. Mikrobangų generatoriaus diapazonas 19 - 24 GHz, didžiausia išspinduliuojama mikrobangų galia – 50mW.

Didelio srauto hadronų apšvitų aplinkos dozimetrinis monitoringas

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Fotojonizacinės spektroskopijos VU gamybos įrenginys

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Spektrometrą sudaro NIR-Optinio diapazono nuostovus šviesos šaltinis,   monochromatorius ir bandinio montavimo schema kriostate. Bandinys yra šaldomas kriostate, keičiant temperatūrą 100 iki 300 K intervale. Yra numatytas režimas, kai naudojama keičiamo spektro impulsinė spinduliuotė, o fotoatsakas zonduojamas mikrobangomis.

Radiacinių, terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos darinių defektų spektroskopijai, funkcinėms charakteristikoms identifikuoti, modifikuoti bei valdyti.

Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.

Giliųjų centrų foto-jonizacinė spektroskopija

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Volt-amperinių ir volt-faradinių charakteristikų temperatūrinių kitimų matavimo įrenginys

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Sukomponuotas VU automatizuotų elektrinės talpos ir srovės charakteristikų tyrimų įrenginys, įgalinantis temperatūrinius matavimus, keičiant išorinę įtampą 0 – 600 V diapazone, esant mažiems šaltinio aukštadažniams triukšmams.

Radiacinių, terminių ir kombinuotų apdorojimų technologijos Si darinių funkcinėms charakteristikoms kontroliuoti.

Sandūrinių puslaidininkinių prietaisų kokybės kontrolei.

Radiacinių poveikių ex situ kontrolei.

Optoelektronikos elementų dažninių charakteristikų kontrolei.

Volt-amperinių ir volt-faradinių charakteristikų temperatūrinių kitimų kombinuoti tyrimai sandūrinių darinių funkciniams parametrams įvertinti.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Sandūrų barjero parametrų įvertinimo įrenginys BELIV-VU

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įrenginį sudaro impulsinis tiesiškai kintančios įtampos generatorius (Г6-28 arba RIGOL DG1022), oscilografas (Agilent Technologies DS05032A) ir bandinio įmontavimo schema. Registruojamos talpos kitimo kinetikos.

Galimi legirantų pasiskirstymo daugiasluoksnėse struktūrose skenavimo ir defektų spektroskopijos režimai.

Terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos Si darinių funkcinėms charakteristikoms kontroliuoti, modifikuoti bei valdyti.

Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.

Sandūrų barjero parametrų kitimų Si, Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkinių prietaisų tyrimai.

Sandūrų barjero parametrų kitimų Si, Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkinių prietaisų tyrimai keičiant temperatūrą, pašvietimo spektrą.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Giliųjų lygmenų tyrimo HERA – DLTS System FT 1030 spektrometras

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

DLTS spektrometras yra skirtas tirti puslaidininkinius darinius (diodus, Schottky sandūras) įvairiais režimais, registruojant talpos bei srovės stiprio kitimus: C-DLTS (bandinio talpa ne didesnė 3 nF); I-DLTS. Krūvininkų sužadinimas galimas ir lazerine spinduliuote (1064nm; 532nm). Matavimų temperatūrų ruožas nuo 3K iki 400K. Yra defektų spektrinių parametrų biblioteka, kurioje pagal aktyvacijos energiją ir krūvininkų pagavos skerspjūvį galima identifikuoti krūvininkų gaudyklę.

Terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos Si darinių funkcinėms charakteristikoms įvertinti, modifikuoti bei valdyti.

Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.

Giliųjų lygmenų, suformuojamų technologinėmis procedūromis, spektro kitimų tyrimai.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Rekombinacijos parametrų technologinės kaitos tyrimų, planarinio bei sluoksninio skenavimo daugiafunkcinis įrenginys VUTEG-4

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įrenginys veikia mikrobangomis (MB) zonduojamo fotolaidumo kinetikų registravimo principu Pagrindinės dalys yra žadinantis lazeris, mikrobangų generatorius, detektorius ir derinamasis traktas, ir plyšinė bei adatinė MB antenos. Fotolaidumo sužadinimui naudojamas impulsinis mikrolustinis lazeris. Planarinis rekombinacijos parametrų pasiskirstymo skenavimas gali būti vykdomas 10´ 10 cm2 plote. Rekombinacijos parametrų kitimas bandinio gylyje skenuojamas briaunoje 2.5 mm žingsniu. Yra sumontuota įranga ir galimas nuotolinio (iki 25 m) matavimo režimas prijungiant bangolaidines-koaksialines ir šviesolaidines signalų perdavimo linijas. Matavimo režimai, matavimo procedūros ir pirminis rezultatų apdorojimas vykdomas kompiuteriu.

Vienas bandinys vieno matavimo metu.

Krūvininkų rekombinacijos parametrų evoliucijos tyrimai apšvitos hadronais metudalelių greitintuvuose.

Puslaidininkinių medžiagų krūvininkų gyvavimo trukmių matavimai hadronų apšvitos metu.

Puslaidininkinių medžiagų krūvininkų gyvavimo trukmių matavimai skersinės ir planarinės žvalgos būdais.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Radiacinių defektų evoliucijos ir rekombinacijos parametrų kaitos in situ matavimų, apšvitinant aukštųjų energijų dalelėmis, įrenginys VUTEG-3

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

Įrenginys veikia mikrobangomis (MB) zonduojamo fotolaidumo kinetikų registravimo principu Pagrindinės dalys yra žadinantis lazeris, mikrobangų generatorius, detektorius ir derinamasis traktas, ir adatinė MB antena. Fotolaidumo sužadinimui naudojamas impulsinis mikrolustinis lazeris. Nuotoliniams matavimams prijungiamos bangolaidinės-koaksialinės ir šviesolaidinės signalų perdavimo linijas ir specializuota apšvitų kamera. Matavimo režimai, matavimo procedūros ir pirminis rezultatų apdorojimas vykdomas kompiuteriu.

Vienas bandinys vieno matavimo metu.

Gyvavimo trukmės in-situ matavimo nuotolis daugiau kaip 15 m. Kompiuteriu valdomi matavimai.

Radiacinių defektų evoliucijos ir rekombinacijos parametrų kaitos in situ matavimai, apšvitinant aukštųjų energijų dalelėmis.

Habil. dr. Eugenijus Gaubas

Sužadinimo-zondavimo ir dinaminių difrakcinių gardelių matavimų stendas

Tikslus prietaiso aprašymas

Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)

Atsakingas personalas

 Įranga yra skirta atlikti įvairių modifikacijų sužadinimo-zondavimo matavimams puslaidininkiniuose storuose sluoksniuose ir plonuose dariniuose. Šie matavimai leidžia išmatuoti sparčiųjų vyksmų charakteringas gyvavimo trukmes ir nepusiausvirųjų krūvininkų bipolinį difuzijos koeficientą plačiose temperatūros, krūvininkų tankio bei spektriniame diapazonuose.Galima išmatuoti difuzijos koeficientus didesnius nei 0,1 cm2/s ir gyvavimo trukmes ilgesnes už 300 fs. Galima tirti medžiagas, kurių draustinių energijų tarpas yra 0,6-5,8 eV ribose. Esant poreikiui, yra galimybės ištirti matuojamų parametrų priklausomybes nuo temperatūros (10-700 K) ir injekcijos (1018-1020 cm-3 krūvininkų tankiams).

Bekontaktis krūvio nešėjų gyvavimo trukmės ir difuzijos koeficiento nustatymas puslaidininkiuose ir jų dariniuose

Dr. Ramūnas Aleksiejūnas