Puslaidininkinės optoelektronikos grupė

Grupės vadovas prof. habil. dr. Gintautas Tamulaitis

Telefonas: (8 5) 223 4481
Faksas: (8 5) 223 4482
El. paštas: Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

Šviestukai yra energiją taupantys šviesos šaltiniai, suteikiantys naujų funkcionalumo ir dizaino galimybių. Šiuo metu jie jau dominuoja daugelyje sričių: mobiliuosiuose telefonuose, švieslentėse, avariniame apšvietime, architektūriniame apšvietime. Mėlynų InGaN šviestukų pagrindu pagaminti balti šviestukai vis plačiau naudojami bendrajame apšvietime. Panaudojant AlGaN junginį, gaminami ultravioletinę (UV) šviesą skleidžiantys šviestukai. Kompaktiški ir efektyvus UV šaltiniai yra reikalingi kenksmingų cheminių ir biologinių medžiagų aptikimui, sterilizacijai, banknotų ir dokumentų apsaugai.
Liuminescencinės spektroskopijos grupė, vadovaujama profesoriaus Gintauto Tamulaičio, šiuo metu tyrinėja plačiatarpius nitridinius puslaidininkius ir jų darinius, aiškinasi fizikines šviestukų našumą ribojančias priežastis, ieško technologinių sprendimų šviestukų našumui didinti. Be to, grupė tiria puslaidininkinius ir oksidinius scintiliatorius aukštų energijų fizikos eksperimentams.

Taikomųjų mokslų institutas
Vilniaus universitetas
Saulėtekio al. 3, 10257 Vilnius
Lietuva
Telefonas: (8 5) 223 4481
Faksas: (8 5) 223 4482
El. paštas: Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

Tematikos

1. Nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos eksperimentiniai tyrimai stipriai sužadintuose puslaidininkiuose ir jų nanodariniuose bei šios dinamikos modeliavimas
2. Nitridinių puslaidininkių ir jų nanodarinių struktūros optimizavimas optoelektroniniams taikymams
3. Fotoliuminescencijos erdvinio pasiskirstymo tyrimai su aukšta skiriamąja geba
4. Spindulinės rekombinacijos stiprinimas panaudojant sąveika su paviršiniais plazmonais
5. Puslaidininkiniai ir oksidiniai scintiliatoriai aukštų energijų fizikos eksperimentams

Grupės nariai

Tel.

El. paštas

Kab.  

Grupės vadovas:


 

Prof. Gintautas Tamulaitis

Vyriausiasis mokslo darbuotojas

(8 5) 223 4481

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B231 Gintautas Tamulaitis copy

Mokslo darbuotojai:

 

Dr. Jūras Mickevičius

Vyresnysis mokslo darbuotojas

(8 5) 223 4508

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B221  Jūras Mickevičius copy

Dr. Darius Dobrovolskas

Mokslo darbuotojas

(8 5) 223 4508

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B221 Darius Dobrovolskas

Doktorantai:

 

Jonas Jurkevičius

(8 5) 223 4509

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B220 Jonas Jurkevičius

Oleg Kravcov

(8 5) 223 4490 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. B225 Oleg Kravcov 

Augustas Vaitkevičius

(8 5)  223 4509

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B220 Augustas Vaitkevičius

Bakalaurai:

 

Tomas Steponavičius

 

Henrikas Svidras

 

Bendradarbiavimas

Dr. Roland Tamošiūnas, Dr. Arūnas Kadys, Dr. Tadas Malinauskas
Taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas
Nitridinių epitaksinių sluoksnių bei nanodarinių auginimas MOCVD būdu, skenuojanti elektroninė mikroskopija

Prof. Edmundas Kuokštis
Taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas
Krūvininkų dinamikos puslaidininkiuose ir jų nanodariniuose tyrimai

Prof. Kęstutis Jarašiūnas
Taikomųjų mokslų institutas, Vilniaus universitetas
Ultrasparčioji spektroskopija dinaminių gardelių ir žadinimo-zondavimo metodais

Prof. Arūnas Krotkus
Optoelektronikos skyrius, Fizinių ir technologijos mokslų centras
Praskiestųjų bismidų sluoksnių ir darinių auginimas molekulių pluoštelių epitaksijos būdu

Dr. Remigijus Juškėnas
Medžiagų struktūrinės analizės skyrius, Fizinių ir technologijos mokslų centras
Medžiagų rentgeno difrakciniai tyrimai, vidinės kristalinės struktūros tyrimai peršviečiančiu elektroniniu mikroskopu


Užsienio partneriai:


Prof. M.S. Shur
Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY
Plačiatarpiai puslaidininkiai, šviestukai, didelės galios tranzistoriai


Dr. R. Gaska
Sensor Electronic Technology, Inc., Columbia, SC
Gilaus UV šviestukai


Prof. C.C. Yang
Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei
Nanofotonika, plazmonika, vaizduoklių ir apšvietimo prietaisų technologijos


Prof. S. Marcinkevičius
School of Information and Communication Technology, KTH, Stockholm
Plačiatarpiai nitridiniai puslaidininkiai, šviestukai, artimojo lauko skenuojanti optinė mikroskopija


Prof. M. Heuken
AIXTRON SE, Herzogenrath
MOCVD technologija, šviestukai


Dr. O. Sidlestkiy
Institute of Scintillation Materials of National Academy of Science of Ukraine, Kharkiv
Scintiliacinių kristalų auginimas ir charakterizavimas

Vystomi projektai

1. Visuotinės dotacijos projektas „Šviesos emisijos nitritiniuose puslaidininkiuose stiprinimas gerinant gardelių suderinamumą", 2012-2015, vad. G. Tamulaitis;
2. LMT mokslininkų grupių projektas „Plačiatarpių nitridinių puslaidininkių liuminescencijos našumo didinimas", MIP-054/2012, 2012-2015, vad. J. Mickevičius;
3. COST veikla MP0805 „Novel Gain Materials and Devices Based on III-V-N Compounds", 2011-2014, atstovas vykdančiajame komitete – G. Tamulaitis;
4. COST veikla MP1302 „NanoSpectroscopy", 2013-2015, atstovas vykdančiajame komitete – G. Tamulaitis;
5. TEMPUS projektas "Development of Training Network for Improving Education in Energy Efficiency", 530379-TEMPUS-1-2012-1-LV-TEMPUS-JPCR; 2012 -2015, VU atstovas projekto vykdančiajame komitete G. Tamulaitis;
6. ES Struktūrinių fondų projektas „Puslaidininkinėse ir nano-technologijose perspektyvių medžiagų kūrimas ir charakterizavimas nuostoviosios ir ultrasparčiosios spektrometrijos metodais plačioje spektrinėje srityje" (LAMETECH MOKSLAS), grupės nariai yra šio projekto vykdytojai.

Naujausios publikacijos

1. J. Mickevičius, J. Jurkevičius, K. Kazlauskas, A. Ž ukauskas, G. Tamulaitis, M. S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, and R. Gaska, Stimulated emission in AlGaN/AlGaN quantum wells with different Al content, Appl. Phys. Lett. 100, 081902 (2012).
2. J. Mickevičius, J. Jurkevičius, K. Kazlauskas, A. Žukauskas, G. Tamulaitis, M. S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, and R. Gaska, Stimulated emission due to localized and delocalized carriers in Al0.35Ga0.65N/Al0.49Ga0.51N quantum wells, Appl. Phys. Lett. 101, 041912 (2012).
3. J. Mickevičius, J. Jurkevičius, M. S. Shur, J. Yang, R. Gaska, and G. Tamulaitis, Photoluminescence efficiency droop and stimulated recombination in GaN epilayers, Opt. Express, 20, 25195-25200 (2012).
4. J. Mickevičius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, and R. Gaska, Internal quantum efficiency in AlGaN with strong carrier localization, Appl. Phys. Lett. 101, 211902 (2012).
5. D. Dobrovolskas, J. Mickevičius, G. Tamulaitis, H. S. Chen, C. P. Chen, Y. L. Jung, Y. W. Kiang, C. C. Yang, Spatially resolved study of InGaN photoluminescence enhancement by single Ag nanoparticles, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 145105 (2013).
6. E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Čeponis, J. Kusakovskij, G. Tamulaitis, Barrier capacitance characteristics of CdS–Cu2S junction structures, Thin Solid Films, 531, 131-136 (2013).
7. N. G. Starzhinskiy, O. Ts. Sidletskiy, G. Tamulaitis, K. A. Katrunov, I. M. Zenya, Yu. V. Malyukin, O. V. Viagin, A. A. Masalov, and I. A. Rybalko, Improving of LSO(Ce) Scintillator Properties by Co-Doping, IEEE Trans. on Nucl. Sc., 60, 1427-1431 (2013).
8. D. Shevchenko, V. Gavryushin, J. Mickevičius, N. Starzhinskiy, I. Zenya, A. Zhukov, G. Tamulaitis, Emission properties of ZnSe scintillation crystals co-doped by oxygen and aluminum, J. Lumin. 143, 473-478 (2013).
9. J. Mickevičius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, and R. Gaska, Correlation between carrier localization and efficiency droop in AlGaN epilayers, Appl. Phys. Lett. 103, 011906 (2013).
10. J. Mickevičius, D. Dobrovolskas, I. Šimonytė, G. Tamulaitis, C.-Y. Chen, C.-H. Liao, H.-S. Chen, and C. C. Yang, Unintentional annealing of the active layer in the growth of InGaN/GaN quantum well light-emitting diode structures, Phys. Status Solidi A 210, 1657-1662 (2013).
11. E. Gaubas, V. Borschak, I. Brytavskyi, T. Čeponis, D. Dobrovolskas, S. Juršėnas, J. Kusakovskij, V. Smyntyna, G. Tamulaitis, and A. Tekorius, Nonradiative and Radiative Recombination in CdS Polycrystalline Structures, Advances in Condensed Matter Physics, 917543, (2013)
12. D. Dobrovolskas, A. Vaitkevičius, J. Mickevičius, Ö. Tuna, C. Giesen, M. Heuken, G. Tamulaitis, Correlation between structure and photoluminescence properties in InGaN epilayers with thickness below and above critical thickness, J. Appl. Phys., 114, 163516 (2013)
13. T. Saxena, G. Tamulaitis, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Low threshold for optical damage in AlGaN epilayers and heterostructures, J. Appl. Phys. 114, 203103 (2013).
14. J. Mickevičius, J. Jurkevičius, G. Tamulaitis, M. S. Shur, M. Shatalov, J. Yang, and R. Gaska, Influence of carrier localization on high-carrierdensity effects in AlGaN quantum wells, Optics Express, 22, A491 (2014)
15. D. Shevchenko, J. Mickevičius, N. Starzhinskiy, I. Zenya, A. Zhukov, G. Tamulaitis, Luminescence in ZnSe scintillation crystals co-doped with oxygen and aluminium, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A, 749, 14-18 (2014).
16. V. Kononets, D. Dobrovolskas, S. Neicheva, N. Starzhinsky, O. Sidletskiy, K. Lebbou, and G. Tamulaitis, Confocal Microscopy of Luminescence Inhomogeneity in LGSO:Ce Scintillator Crystal, IEEE Trans. on Nucl. Science, 61, 343 (2014).

Laboratorijos

Nanofotonikos

Fotoliuminescencijos erdvinio pasiskirstymo tyrimai konfokaliniu ir artimojo lauko skenuojančiuoju optiniu mikroskopu (SNOM) regimajame ir artimajame infraraudonajame spektriniame ruože. Bandinių paviršiaus topografijos charakterizavimas atominės jėgos mikroskopu (AFM).

 

Daugiafunkcinė mikroskopijos sistema WITec Alpha 300, nuolatinės veikos He-Cd lazeris, lazeriniai diodai, VIS spektrometras UTS 300 su CCD kamera,NIR spektrometras ANDOR SR303 su CCD kamera.

 

  Nanofotonikos 

NIR spektroskopijos


Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis artimajame infraraudonajame spektro ruože (0,8-2,2 µm).

NIR spektrometras ANDOR SR303 su CCD kamera.

 NIR spektroskopijos

Kvazinuostoviosios lazerinės spektroskopijos

Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis bei su nanosekundine laikine skyra UV-VIS spektriniame ruože temperatūrų intervale 8-300 K.

 

Dvigubas monochromatorius HRD-1 su fotodaugintuvu, spektrometras SR-500 su ICCD kamera, uždaro ciklo helio kriostatas, He-Cd lazeris, nanosekundinis lazeris Nd:YAG ir jo harmonikų generavimo moduliai, parametrinis šviesos stiprintuvas.

 

    Kvazinuostoviosios lazerinės spektroskopijos 1      Kvazinuostoviosios lazerinės spektroskopijos 2