Fotoelektrinių reiškinių tyrimo grupė

Grupės vadovas habil. dr. Eugenijus Gaubas

Telefonas: (8 5) 223 4480
El. paštas: Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

Aukštųjų energijų spinduliuočių radiacijai atsparių detektorių formavimas yra aktualus kuriant vis didesnio ryškio dalelių greitintuvus. Radiacinių defektų inžinerija yra svarbi technologijos sritis tiek modifikuojant didelės galios didelės spartos puslaidininkinius prietaisus, tiek kuriant radiacijai tolerantiškus dalelių bei foto sensorius, gebančius funkcionuoti kosminiuose aparatuose, moderniuose dalelių greitintuvuose. Branduolinės sintezės, dalelių nuskėlėjų (spallator‘ių) technologijose bei kuriant ateities energetikos ir branduolinio kuro atliekų ekologiško utilizavimo technologijas yra svarbūs in situ dozimetrijos įrenginiai.

Radiacijos detektorių ir defektų tyrimų grupės, koordinuojamos E. Gaubo ir dirbančios šiose tematikose nuo 1992 m., mokslinių tyrimų kryptys yra aukštųjų energijų apšvitų poveikių matavimų technologijų ir įrenginių kūrimas, radiacijos detektorių funkcinių charakteristikų modeliavimas, radiacinių technologijų taikymai elektronikos prietaisų gamybos technologijoms modernizuoti.

Taikomųjų mokslų institutas
Vilniaus universitetas
Saulėtekio al. 3, 10257 Vilnius
Lietuva
Telefonas: (8 5) 223 4480
El. paštas: Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

Tematikos

1. Radiacijai atsparių medžiagų paieška ir struktūrų kūrimas.
2. Radiacinių defektų inžinerija ir elektronikos prietaisų gamybos radiacinės technologijos.
3. Radiaciniai nanoklasteriai.
4. Nuotolinės matavimų technologijos ir įranga karštose apšvitų aukštųjų energijų spinduliuotėmis zonose apšvitų metu.

Grupės nariai

 

Tel.

El. paštas

Kab.

Grupės vadovas:

 

 

 

Habil. dr. Eugenijus Gaubas
Vyriausiasis mokslo darbuotojas

(8 5) 223 4480

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B230

Mokslo darbuotojai:

 

 

 

Dr. Tomas Čeponis
Vyresnysis mokslo darbuotojas  

(8 5) 223 4486

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B229

Prof. habil. dr. Vaidotas Kažukauskas
Vyriausiasis mokslo darbuotojas  

(8 5) 223 4541

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B322

Dr. Algirdas Mekys
Mokslo darbuotojas
(8 5) 223 4468 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. A202
Dokt. Dovilė Meškauskaitė
Jaunesnioji mokslo darbuotoja
(8 5) 223 4487 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. B204
Dr. Jevgenij Pavlov
Mokslo darbuotojas
(8 5) 223 4487 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. B204
Dr. Vytautas Rumbauskas
Mokslo darbuotojas
(8 5) 223 4487 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. B204
Prof. habil. dr. Juozas Vidmantis Vaitkus
Vyriausiasis mokslo darbuotojas 

(8 5) 223 4503

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B233

Dr. Ernestas Žąsinas
Mokslo darbuotojas
(8 5) 223 4468 Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį. A202
Doktorantai:

 

 

 

Dovilė Meškauskaitė (8 5) 223 4487

Šis el.pašto adresas yra apsaugotas nuo šiukšlų. Jums reikia įgalinti JavaScript, kad peržiūrėti jį.

B204
Inžinieriai:      
Laimonas Deveikis      
Stažuotojai:

 

 

 

Kornelijus Pūkas

     
Veslava Rymaš      

Bendradarbiavimas

Tandem greitintuvas
Dr. Vitalijus Kovalevskis
FTMC


Užsienio partneriai:

Prof. Jyrki Raisanen
Greitintuvų laboratorija, Helsinkio universitetas


Prof. Jan Vanhellemont
Gent'o universitetas

Vystomi projektai

1. Nefinansuoti 2007-2012 m. vykdyti projektai , (vad. E.Gaubas) VU TMI tyrimas „Terminių priemaišinimo technologijų defektiškumo tyrimai“ vykdyti VVP prašymu. Tyrimų rezultatai ir rekomendacijos buvo teiktos pranešimuose, seminaruose bei konsultuojant VVP technologus (įvykdytas projektas).

Paskelbtos publikacijos projekto tema:

-E. Gaubas, T. Čeponis, A. Uleckas, J. Vaitkus, Recombination characteristics in 2-3 MeV protons irradiated FZ Si, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 612 (2010) 559.

2012-2016 m. vykdyti dvišalio bendradarbiavimo su Baltarusijos universiteto, Helsinkio universiteto, CERN programų, VU-IMEC nefinansuojami projektai.

 2. MIP054/2011, 2011-2013), 177 tūkst. Lt. - vad. E. Gaubas „Defektų evoliucijos ir modifikavimo spinduliuotėmis in situ kontrolės technologijos vystymas“, vykdytojai T. Čeponis, J. Pavlov (įvykdytas projektas).

Paskelbti straipsniai su padėka LMT projektui:

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, A. Uleckas, J. Vaitkus, E. Cortina, and O. Militaru, Correlated evolution of barrier capacitance charging, generation, and drift currents and of carrier lifetime in Si structures during 25 MeV neutrons irradiation, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 232104.

- E. Gaubas, V. Kovalevskij, A. Kadys, M. Gaspariunas, J. Mickevicius, A. Jasiunas, V. Remeikis, A. Uleckas, A. Tekorius, J. Vaitkus, A. Velicka, In situ variations of recombination characteristics in MOCVD grown GaN epi-layers during 1.7 MeV protons irradiation, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 307 (2013) 370.

- E. Gaubas, T. Čeponis, J. Kusakovskij, A. Uleckas, Barrier evaluation by linearly increasing voltage technique applied to Si solar cells and irradiated pin diodes, ISRN Materials Sc. 2012 (2012) Article ID 543790.

- E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Vaitkus, Impact of generation current on evaluation of the depletion width in heavily irradiated Si detectors, J. Appl. Phys. 110 (2011) 033719.

- T. Ceponis, E. Gaubas, V. Kalendra, A. Uleckas, J. Vaitkus, K. Zilinskas, V. Kovalevskij, M. Gaspariunas, and V. Remeikis, In situ analysis of carrier lifetime and barrier capacitance variations in silicon during 1.5 MeV protons implantation, J. Instrum. 6 (2011) P09002.

- E. Gaubas, T. Ceponis, A. Uleckas, and R. Grigonis, Room temperature spectroscopy of deep levels in junction structures using barrier capacitance charging current transients, J. Instrum. 7 (2012) P01003.

- E. Gaubas, V. Kalendra, T. Ceponis, A. Uleckas, A. Tekorius, J. Vaitkus, and A. Velicka, Study of deep level characteristics in the neutrons irradiated Si structures by combining pulsed and steady-state spectroscopy techniques, J. Instrum. 7 (2012) C11006.

- E. Gaubas, T. Ceponis, S. Sakalauskas, A. Uleckas, and A. Velička, Fluence dependent variations of barrier and generation currents in neutron and proton irradiated Si pin diodes, Lith. J. Phys. 51 (2011) 230.

- E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Ceponis, V. Kalendra, and A. Tekorius, Spectroscopy of deep traps in Cu2S-CdS junction structures, Materials 5 (2012) 2597.

- E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Kusakovskij, Profiling of barrier capacitance and spreading resistance by transient linearly increasing voltage technique, Rev. Sc. Instrum. 82 (2011) 083304.

3. MIP060/2013, (2013-2015), 313.7 tūkst. Lt. vad. E. Gaubas „Radiacinių defektų deimanto ir GaN medžiagose in situ ir ex situ evoliucija“, , vykdytojai T. Čeponis, J. Pavlov, D. Meškauskaitė (įvykdytas projektas).

Paskelbti straipsniai su padėka LMT projektui:

-E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalesinskas, V. Kovalevskij, D. Meskauskaite, J. Pavlov, V. Remeikis, G. Tamulaitis, and A. Tekorius, In situ variations of carrier decay and proton induced luminescence characteristics in polycrystalline CdS, J. Appl. Phys. 115 (2014) 243507.

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, J. Pavlov, A. Tekorius, D. Shevchenko, K. Katrunov, V. Kovalevskij, V. Remeikis, S. Galkin, and G. Tamulaitis, In situ variations of proton induced luminescence in ZnSe crystals, J. Phys. D: Appl. Phys. 47 (2014) 265102.

- E. Gaubas, D. Bajarūnas, T. Ceponis, D. Meškauskaitė, and J. Pavlov, Optically induced current deep level spectroscopy of radiation defects in neutron irradiated Si pad detectors, Lith. J. Phys. 53 (2013) 215.

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kovalevskij, D. Meskauskaite, J. Pavlov, V. Remeikis, A. Tekorius, and J. Vaitkus, Correlative anglysis of the in situ changes of carrier decay and proton induced photoluminescence characteristics in chemical vapor deposition grown GaN, Appl. Phys. Lett. 104 (2014) 062104.

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalendra, J. Pavlov, N. Kazuchits, E. Naumchik, and M.Rusetsky, Lateral scan profiles of the recombination parameters correlated with distribution of grown-in impurities in HPHT diamond, Diamond & Related Materials 47 (2014) 15–26.

-E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, and A. Baskevicius, Profiling of the injected charge drift current transients by cross-sectional scanning technique, J. Appl. Phys. 115 (2014) 054509.

-J. Pavlov, D. Bajarūnas, T. Ceponis, E. Gaubas, and D. Meškauskaitė, Spectroscopy of technological defects in Si solar cells by analysis of temperature dependent generation currents, MATERIALS SCIENCE (MEDŽIAGOTYRA) 20 (2014) 252.

- J. Pavlov, E. Gaubas, and T. Ceponis, Simulation of the pulsed current responses in GaN and diamond based capacitor type particle detectors, 5th International Conference on „Radiation Iinteraction with Materials: Fundamentals and Applications 2014“,- Full text of the presentations published in the Conference Proceedings Radiation Interaction with Materials: Fundamentals and Applications 2014(2014) 278-281 (referred in ISI Web of Knowledge database).

- A. Tekorius, E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kovalevskij, D. Meskauskaite, J. Pavlov, V. Remeikis, and J. Vaitkus, In situ and ex situ study of variations of the recombination characteristics in MOCVD grown GaN under hadron irradiations, 5th International Conference on „Radiation Iinteraction with Materials: Fundamentals and Applications 2014“,- Full text of the presentations published in the Conference Proceedings Radiation Interaction with Materials: Fundamentals and Applications 2014(2014) 436-439 (referred in ISI Web of Knowledge database).

- E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and N. Kazuchits, Profiling of current transients in capacitor type diamond sensors, Sensors 15 (2015) 13424.

4-7. AIDA-MITA „Pažangios Europos infrastruktūros greitintuvų detektoriams“, MITA,

4. 2011- 135.93 tūkst. Lt (E. Gaubas)

5. 2012- 73.650 tūkst. Lt (E. Gaubas)

6. 2013- 18.811 tūkst. Lt (vad. E.Gaubas)

7. 2014- 35.463 tūkst. Lt (vad. E.Gaubas)

Pagamintas ir įdiegtas CERN‘e didelių įtėkių dozimetras VUTEG-5-AIDA.

Paskelbti straipsniai su padėka MITA:

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, A. Uleckas, J. Vaitkus, E. Cortina, and O. Militaru, Correlated evolution of barrier capacitance charging, generation, and drift currents and of carrier lifetime in Si structures during 25 MeV neutrons irradiation, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 232104.

-A. Tekorius, E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, A. Uleckas, J. Vaitkus, and A. Velicka, Dosimetry of background irradiations of accelerators based on hadrons fluence dependent carrier lifetime measurements, International Conference on "Radiation Interaction with Materials and Its Use in Technologies 2012",- Full text of the presentations published in the Conference Proceedings Radiation Interaction with Material and Its Use in Technologies 2012(2012) 282-285 (referred in ISI Web of Knowledge database).

- A. Tekorius, E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, J.Vaitkus, M. Glaser, and M. Moll, Fluence and anneal dependent variations of recombination parameters in Si irradiated by 26 GeV protons, 5th International Conference on „Radiation Iinteraction with Materials: Fundamentals and Applications 2014“,- Full text of the presentations published in the Conference Proceedings Radiation Interaction with Materials: Fundamentals and Applications 2014(2014) 432-435 (referred in ISI Web of Knowledge database).

8. FP7-AIDA (WP8.3), (Grant agreement no: 262025),, (2011-2014), 60.7 tūkst. EUR „Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators“ EU, - -projektas koordinuotas CERN - vykdytojai E. Gaubas, T. Čeponis, J. Pavlov (įvykdytas projektas).

Pagamintas ir įdiegtas CERN‘e didelių įtėkių dozimetras VUTEG-5-AIDA.

Paskelbti straipsniai su padėka MITA-nurodant FP7 AIDA projektą:

-E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, A. Uleckas, J. Vaitkus, E. Cortina, and O. Militaru, Correlated evolution of barrier capacitance charging, generation, and drift currents and of carrier lifetime in Si structures during 25 MeV

neutrons irradiation, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 232104.

9. Projektas „Medžiagotyros, nano- ir šviesos technologijų bei aukštojo mokslo studijų šiose proveržio kryptyse infrastruktūros kūrimas (LAMETECH INFRASTRUKTŪRA)“ (Projekto kodas VP2-1.1-ŠMM-04-V-02-002), EU-LMT,- 250 tūkst. EUR potemei, vykdomai E. Gaubo grupės, vad. V. Šablinskas, potemės vykdytojai E. Gaubas, T. Čeponis (įvykdytas projektas).

Paskelbti straipsniai su padėka LMT projekto (VP1-3.1-ŠMM-08-K-01-004/KS-120000-1756) rėmėjams:

- E. Gaubas, V. Borschak, I. Brytavskyi, T. Ceponis, D. Dobrovolskas, S. Juršėnas, J. Kusakovskij, V. Smyntyna, G. Tamulaitis, and A. Tekorius, Nonradiative and radiative recombination in CdS polycrystalline structures, Advances in Condenced Mater Physics 2013 (2013) Article ID 917543.

- E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, E. Jelmakas, S. Juršėnas, A. Kadys, T. Malinauskas, A. Tekorius, and P. Vitta, Study of carrier recombination transient characteristics in MOCVD grown GaN dependent on layer thickness, AIP Advances 3 (2013) 112128.

- E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Ceponis, J. Kusakovskij, and G. Tamulaitis, Barrier capacitance characteristics of CdS–Cu2S junction structures, Thin Solid Films 531 (2013) 131.

10. VD (2013-2015) VP1-3.1-ŠMM-07-K-03-010), LMT-EU, 979.3 tūkst. Lt , vad. prof. J.Vaitkus „Radiaciniai nanoklasteriai Si ir GaN“ (VP1-3.1-ŠMM-07-K-03-010), LMT-EU, 979.3 tūkst. Lt – ats. vykdytojas E. Gaubas, vykdytojai: T. Čeponis, J. Pavlov, D. Meškauskaitė, V. Rumbauskas (įvykdytas projektas).

Paskelbti straipsniai su padėka LMT-EU:

-E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, A. Velicka, V. Kalesinskas, Spectroscopy of radiation traps in Si by temperature dependent photoconductivity and generation currents, Lith. J. Phys. 54 (2014) 89.

- J. Vyšniauskas, J. Matukas, Simulation of silicon n+np+, p+pn+ and schottky TRAPATT diodes, Lith, J. Phys. 54 (2014) 80.

- E. Gaubas, T. Ceponis, and V. Kalesinskas, Currents induced by injected charge in junction detectors, Sensors 13 (2013) 12295.

- E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, A. Jasiunas, V. Jonkus, D. Meskauskaite, and A. Tekorius, Carrier decay and luminescence characteristics in hadron irradiated MOCVD GaN, J. Instrum. 9 (2014) C12044.

- E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Pavlov, "Pulsed current signals in capacitor type particle detectors", J. Instrum. 10 (2015) C01006.

- J. Vysniauskas, E. Gaubas, Simulation of GaN schottky diode type particle detectors using TCAD, 5th International Conference on „Radiation Interaction with Materials: Fundamentals and Applications 2014“,- Full text of the presentations published in the Conference Proceedings Radiation Interaction with Materials: Fundamentals and Applications 2014(2014) 282-285 (referred in ISI Web of Knowledge database).

- E. Gaubas, T. Ceponis, V. Kalesinskas, J. Pavlov and J. Vysniauskas, Simulations of operation dynamics of different type GaN particle sensors, Sensors 15 (2015) 5429.

- E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, Modeling of radiation damage recovery in particle detectors based on GaN, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, (2015) published online http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.013.

- E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, A. Tekorius, In situ variations of the scintillation characteristics in GaN and CdS layers under irradiation by 1.6 MeV protons, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, (2015) published online http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.015.

- J. Pavlov, T. Ceponis, E. Gaubas, D. Meskauskaite, I. Reklaitis, J. Vaitkus, R. Grigonis, V. Sirutkaitis, Comparative study of deep levels in HVPE and MOCVD GaN by combining O-DLTS and pulsed photo-ionization spectroscopy, J. Instrum.

- J. Vaitkus, E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, J. Pavlov, I. Reklaitis, Transient signals of the capacitor and Schottky barrier type HVPE and MOCVD GaN sensors, J. Instrum.

11. 2015 m. CERN rd39 projektas finansuotas LMA (17.8 tūkst EUR), vad. E.Gaubas (projektas vykdomas).

12. 2016 m. CERN rd39 projektas finansuotas LMA (22.4. tūkst EUR), vad. E.Gaubas (projektas vykdomas).

13. HORIZONT2020 projektas AIDA-II--2020, (WP15), 2015-2019 m, 160 tūks. EUR, LR koord. prof. G.Tamulaitis ir prof. J.Vaitkus „Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators“ (Grant agreement no:654168), ats. vykdytojas - E. Gaubas, vykdytojai - T. Čeponis, J. Pavlov, D. Meškauskaitė (projektas vykdomas).

 14. LAT-01/2016, 2016-2018, vad. E.Gaubas, 299722 EUR, LMT programos „Link ateities technologijų projektas „Jonizuojančių spinduliuočių erdvinės ir spektrinės skyros MOCVD GaN sensorių formavimo technologijos kūrimas“ (projektas vykdomas).

Naujausios publikacijos

  1. E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Kusakovskij, Rev. Sc. Instrum. 82 (2011) 083304.
  2. E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Vaitkus, J. Appl.  Phys. 110 (2011) 033719.
  3. E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Ceponis, V. Kalendra, and A.Tekorius, Spectroscopy of deep traps in Cu2S-CdS junction structures. Materials 5 (2012) 2597.
  4. E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, A. Uleckas, J. Vaitkus, E. Cortina, and O. Militaru, Correlated evolution of barrier capacitance charging, generation and drift currents and of carrier lifetime in Si structures during
  5. 25 MeV neutrons irradiation, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 232104.
  6. E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Čeponis, J. Kusakovskij, G. Tamulaitis, Barrier capacitance characteristics of CdS–Cu2S junction structures, Thin Solid Films 531 (2013) 131–136.
  7. E. Gaubas, T. Ceponis, V. Kalesinskas,  Currents induced by injected charge in junction detectors, Sensors 13 (2013) 12295-12328.
  8. E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, and A. Baskevicius. „Profiling of the injected charge drift current transients by cross-sectional scanning technique“ J. Appl.  Phys. 115, 054509 (2014).
  9. E.Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kovalevskij, D. Meskauskaite, J. Pavlov, V. Remeikis, A. Tekorius, and J. Vaitkus, „Correlative analysis of the in situ changes of carrier decay and proton induced
  10. photoluminescence characteristics in chemical vapor deposition grown GaN“  Appl. Phys. Lett. 104, 062104 (2014).
  11. E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, J. Pavlov, A. Tekorius, D. Shevchenko,  K. Katrunov, V. Kovalevskij, V. Remeikis, S. Galkin  and G. Tamulaitis. In situ variations of proton induced luminescence in ZnSe crystals.
  12. J. Phys. D: Appl. Phys. 47 (2014) 265102.
  13. E. Gaubas, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalendra, J. Pavlov, N. Kazuchits, E. Naumchik, and M.Rusetsky. Lateral scan profiles of the recombination parameters correlated with distribution of grown-in impurities in HPHT
  14. diamond. - Diamond & Related Materials 47 (2014) 15–26.
  15. E. Gaubas, I. Brytavskyi, T. Ceponis, A. Jasiunas, V. Kalesinskas, V. Kovalevskij, D. Meskauskaite, J. Pavlov,V. Remeikis, G. Tamulaitis, and A. Tekorius, In situ variations of carrier decay and proton induced
  16. luminescence characteristics in polycrystalline CdS, Journ. Appl. Phys. 115(2014) 243507.
  17. E. Gaubas, T.Ceponis, V.Kalesinskas, J.Pavlov, J.Vysniauskas, „Simulations of operation dynamics of different type GaN particle sensors“, Sensors 2015, 15(3), 5429- 5473.
  18. E. Gaubas, T.Ceponis, D.Meskauskaite, N.Kazuchits, „Profiling of current transients in capacitor type diamond sensors“, Sensors 2015, 15(6), 13424-13458.
  19. E. Gaubas, T. Ceponis, J. Pavlov, and A. Tekorius, In situ variations of the scintillation characteristics in GaN and CdS layers under irradiation by 1.6 MeV protons, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 365 (2015) 159-162.
  20. E. Gaubas, T. Ceponis, and J. Pavlov, Modeling of radiation damage recovery in particle detectors based on GaN, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 365 (2015) 163-167.
  21. E. Gaubas, T. Ceponis, J.V. Vaitkus, V. Fadeyev, S. Ely, Z. Galloway, H.F.-W. Sadrozinski, M. Christophersen, B.F. Phlips, I. Gorelov, M. Hoeferkamp, J. Metcalfe, and S. Seidel, Study of surface recombination on
  22. cleaved and passivated edges of Si detectors, Semicond. Sci. Technol. 31 (2016) 035003.
  23. E. Gaubas, T. Ceponis, E. Kuokstis, D. Meskauskaite, J. Pavlov, and I. Reklaitis, Study of charge carrier transport in GaN sensors, Materials 9 (2016) 293.
  24. E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and E. Simoen, Comparative study of current transients in HPHT and CVD diamond capacitor-sensors, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5 (2016) P3101-P3107.
  25. E. Gaubas, E. Simoen, and J. Vanhellemont, Review-Carrier lifetime spectroscopy for defect characterisation in semiconductor materials and devices, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5 (2016) P3108-P3137.

Laboratorijos

Laboratorijų darbų kryptys:

- rekombinacijos procesų tyrimai ir parametrų įvertinimas šiuolaikinėse elektronikos medžiagose bei prietaisuose;

- naujos matavimų technologijos;

- medžiagotyros bei aukštųjų energijų spinduliuočių registravimo įrenginių projektavimas ir kūrimas;

- rekombinacijos ir krūvio pernašos procesų modeliavimas;

- defektų inžinerijos technologijos.

Tiriamosios medžiagos ir dariniai:

Įvairių technologijų puslaidininkiai: Si, Ge, Si-Ge, GaAs, GaN, CdS, ZnSe, deimantas, ir kt; organinės ir polimerinės medžiagos :alaninas, PEN ir kt.; prietaisų ir detektorių dariniai: saulės elementai, šviestukai, galios PIN diodai ir tiristoriai, CERN dalelių detektoriai

Tyrimų metodai:

- mikrobangų sugerties ir atspindžio kinetikų metodai;
- infraraudonosios sugerties relaksacijos kinetikų metodai;
- talpinė ir srovės giliųjų lygmenų spektroskopija (DLTS);
- elektronų sukinių spektroskopija (EPR);
- vibracinių modų infraraudonoji spektroskopija (IRS);
- harmoninė ir impulsinė talpos spektroskopija (LRC/BELIV);
- fotojonizacijos impulsinė spektroskopija (PIPS).

Matavimų technologijos:

- radiacinių defektų evoliucijos in situ analizės technologija;
- defektų pasiskirstymo planarinės ir skersinės žvalgos technologija;
- impulsinė šiluminės, foto-jonizacinės ir talpinės spektroskopijos technologija;
- injektuoto krūvio dreifo kinetikų profiliavimo technologija;
- luminescencijos ir fotolaidumo evoliucijos apšvitinant įvairiomis aukštųjų energijų spinduliuotėmis in situ analizės technologija.

Matavimo technologijų ir prietaisų kūrimo laboratorija. Kai kurie matavimo įrenginiai sukurti laboratorijoje.

Giliųjų lygmenų spektroskopijos laboratorija

Talpinės ir fotojonizacinės spektroskopijos įrenginiai

Giliųjų centrų foto-jonizacijos spektrometras

Giliųjų centrų foto-jonizacinė spektrometras

Giliųjų lygmenų talpinis spektrometras HERA- DLTS System FT 1030

Giliųjų lygmenų talpinis spektrometras HERA- DLTS System FT 1030

Giliųjų lygmenų talpinis spektrometras DLS-82E

Giliųjų lygmenų talpinis spektrometras DLS-82E

Elektronų sukinių spektroskopijos laboratorija

EPR spektrometras Bruker Elexsys-E580

 EPR spektrometras Bruker Elexsys-E580

Elektrinio charakterizavimo laboratorija

Volt-amperinių ir volt-faradinių charakteristikų
temperatūrinių kitimų kombinuotų tyrimų sandūriniuose dariniuose įrenginiai

Volt-amperinių ir volt-faradinių charakteristikų

Sandūrų barjero parametrų temperatūrinių ir spektrinių kitimų Si,
Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkiniuose prietaisuose
impulsinės talpos kinetikų BELIV registravimo įrenginiai

Sandūrų barjero parametrų temperatūrinių ir spektrinių kitimų Si

IR ir mikrobangų laisvakrūvės sugerties laike išskirtosios spektroskopijos laboratorija

IR zondavimo spektroskopijos įrenginys

 IR zondavimo spektroskopijos įįrenginys

Mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo tyrimų stendas

 Mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo tyrimų stendas

Laike išskirtosios liuminescencijos ir fotolaidumo kinetikų sinchroninio skenavimo laboratorija

Laike išskirtosios liuminescencijos ir mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo kinetikų sinchroninio skenavimo įrenginiai

 Laike išskirtosiosliuminescencijos ir mikrobangomis zonduojamoLaike išskirtosiosliuminescencijos ir mikrobangomis zonduojamo 2

Rekombinacijos charakteristikų tyrimų laboratoprija

Skeneris VUTEG04-CERN

 Skeneris VUTEG04-CERN

Krūvininkų rekombinacijos ir detektotorių profiliavimo įrenginys

 Krūvininkų rekombinacijos ir detektotorių profiliavimo įrenginys

In situ radiacinių defektų evoliucijos mobili laboratorija

Radiacinių defektų evoliucijos ir rekombinacijos parametrų
kaitos in situ matavimų, apšvitinant aukštųjų energijų dalelėmis, įrenginiai:
1) neutronų apšvitos deuteronų spalatoriuje (Leuven La Neuve)

Neutronų apšvitos deuteronų spalatoriuje Leuven La Neuve

2) 9 MeV protonų tandeminiame greitintuve (Helsinki)

9 MeV protonų tandeminiame greitintuve Helsinki

3) jonų tandeminiame greitintuve (Vilnius, FTMC)

Jonų tandeminiame greitintuve Vilnius FTMC

Matavimo technologijų ir prietaisų kūrimo laboratorija

Kai kurie matavimo įrenginiai sukurti laboratorijoje

Technologinių defektų tyrimų įrenginys VUTEG-2, įdiegtas įmonėje "Vilniaus Ventos Puslaidininkiai"

technologinių defektų tyrimų įrenginys VUTEG-2

Radiacinių defektų evoliucijos in situ tyrimų įrenginys VUTEG-3

radiacinių defektų evoliucijos in situ tyrimų įrenginys VUTEG-3

Defektų pasiskirstymo planarinės ir skersinės žvalgos įrenginys VUTEG-4

defektų pasiskirstymo planarinės ir skersinės žvalgos įrenginys VUTEG-4

Dozimetras VUTEG-5-AIDA, diegiamas CERN

dozimetras VUTEG-5-AIDA diegiamas CERN

Impulsinis šiluminės ir foto-jonizacinės spektroskopijos įrenginys VUTEG-6

impulsinis šiluminės ir foto-jonizacinės spektroskopijos įrenginys VUTEG-6

BELIV skersinės žvalgos įrenginys

BELIV skersinės žvalgos įrenginys