Puslaidininkių technologijų ir charakterizavimo atviros prieigos centras (PTC APC)

III grupės nitritinių puslaidininkinių darinių epitaksija MOCVD metodu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
III grupės nitridinių epitaksinių sluoksnių (GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, BGaN) bei jų darinių (kvantinės duobės, supergardelės ir t. t.) auginimas MOCVD būdu ant safyro, SiC, GaN bei Si padėklų didelės galios elektronikos ir optoelektronikos prietaisams (šviestukų, lauko tranzistorių, diodų ir saulės elementų).	Sluoksnių galimos savybės: specialiai nelegiruotas GaN (uGaN), tamsinė minimali krūvininkų koncentracija n_e=10¹⁶ cm^-3, elektronų judris µ_e=250 cm²/Vs; sluoksnio greitis 0,1¸2,5 mm/h, maksimalus sluoksnio storis iki 15 m n-tipo GaN (legiruotas Si), n_e =10¹⁶¸10¹⁸ cm^-3, m_e=150¸250 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 1¸2,5 mm/h. p-tipo GaN (legiruotas Mg), n_h=10¹⁶¸10¹⁸ cm^-3, m_e=5¸10 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 0,1¸0,5 mm/h. InGaN – In koncentracija gali būti keičiama nuo 1% iki 30% ir nuo 60% iki 99%, InGaN lydinio su In koncentracija nuo 30% iki 59% (tyrimų stadija), n_e =10¹⁷¸10²⁰ cm^-3, m_e=100¸230 cm²/Vs, judrio vertės priklauso nuo In koncentracijos, sluoksnio augimo greitis 50¸200 nm/h, galima legiruoti Si arba Mg. InN - n_e =10¹⁸¸10²⁰ cm^-3, m_e=600 cm²/Vs, sluoksnio augimo greitis 50¸100 nm/h. AlGaN – Al koncentracija nuo 1% iki 100% (AlN), augimo greitis 0,05¸1 mm/h, galimas sluoksnio storis priklausomai nuo padėklo nuo 1 nm iki 1 m AlInN ir BGaN tyrimų stadija. Iš aukščiau minėtų kristalinių sluoksnių suformuoti sudėtingi dariniai (pvz. InGaN/GaN kvantinės duobės). Galimi padėklai: safyras, Si, SiC, tūrinis GaN.	dr. Arūnas Kadys

Kietų medžiagų paviršių tyrimai skenuojančiu elektroniniu mikroskopu (SEM)

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Skenuojantis elektroninis mikroskopas (CamScan Appolo 300.) skirtas įvairių kietų medžiagų paviršiaus morfologiniams ir struktūriniams tyrimams (paviršiaus atvaizdavimui ir jo nuotraukų darymui).Elektronų šaltinis - Šotki tipo lauko emisijos elektronų patranka.Antrinių (angl. k. SE) ir atgal sklaidytų (angl. k. BSE) elektronų detektoriai.Elektronų greitinimo įtampa nuo 5 iki 20 kV.Maksimali skyra 2 nm esant 20 kV.Matavimai atliekami bandiniui esant aukštame vakuume (nuo 10^-7 Bar).Maksimalus tiriamo bandinio dydis: diametras ne didesnis nei 15 cm, aukštis ne daugiau nei 5 cm.	Optoelektronikos, chemijos, maisto, metalo ir metalo gaminių, tekstilės pramonei.Galimybė vizualizuoti tiriamų kietų medžiagų paviršių su 2÷10 nm skiriamąja geba.	dr. Arūnas Kadys

Kietų medžiagų cheminė mikroanalizė skenuojančiu elektroniniu mikroskopu su EDS/EDX priedėliu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Skenuojančio elektroninio mikroskopo (CamScan Appolo 300.) EDX/EDS priedėlis skirtas lokalios cheminės sudėties nustatymui kietose medžiagose ir cheminių elementų erdvinio pasiskirstymo tiriamo objekto paviršiuje žemėlapių sudarymui.	Optoelektronikos, chemijos, maisto, metalo ir metalo gaminių, tekstilės pramonei. Galimybė nustatyti cheminę kietų medžiagų cheminę sudėtį, kai cheminių elementų tiriamoje medžiagoje yra ne mažiau nei 2 procentai.	dr. Arūnas Kadys

p-n sandūrų ir puslaidininkinių medžiagų paviršių tyrimai skenuojančiu elektroniniu mikroskopu su EBIC priedėliu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Skenuojančio elektroninio mikroskopo EBIC priedėlis skirtas puslaidininkinių medžiagų paviršių ir p-n sandūrų elektrinių savybių (krūvininkų difuzijos nuotolio matavimai, sandūros ar paviršiaus elektrinio laidumo žemėlapio sudarymas) tyrimams.Skenuojančio elektroninio mikroskopo elektroninio spindulio indukuotų srovių (EBIC) matavimo priedėlis GATAN Smartebic su elektronų spindulio valdymo sistema Digiscan^TM II.EBIC signalas yra susietas su elektroninio mikroskopo tiriamo objekto vaizdas.Yra EBIC signalo optimizavimo įrankiai.Yra galimybė matuoti bandinio U-I charakteristiką.Bandinio laikiklis turi 2 zondus.Bandinio laikiklis gali būti pasuktas kampu iki 180⁰.Maksimalus bandinio diametras 1 cm.	Elektronikos ir optoelektronikos pramonei (šviestukų, lauko tranzistorių, saulės celių, diodų ir įvairių jutiklių su p-n sandūra tyrimams.Galimybė ištirti įvairių puslaidininkinių p-n sandūrų kokybę (sandūros plotis, krūvininkų lėkio kelias).	dr. Arūnas Kadys

Varžos matavimas keturių zondų metodu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Atliekami paviršinės bei tūrinės varžos matavimai keturių zondų metodu ir nustatomas bandinio laidumo tipą. Platus parametrų intervalas, kontaktų varžos nebuvimas užtikrina tikslius rezultatus ir supaprastina matavimo procedūrą. Įrangos veikimas pagrįstas keturių adatos tipo elektrodų kontaktu su bandinio paviršiumi. Tekant elektros srovei per du elektrodus, kiti du naudojami susidariusiam potencialų skirtumui registruoti. Gauti ir apdoroti duomenys gali būti išsaugoti ir perkelti į kompiuterį. Įranga tinka bet kokios formos nedidelių bandinių, turinčių plokščią paviršių, varžos ir laidumo tipui nustatyti.Matuojamas vienas bandinys.Matavimo įtampa: 0,01 - 1250mV;Matavimo srovės stipris: 10nA – 99,99mA;Paviršinė varža: 1mΩ/□ – 500 MΩ/□ (yra galimybė atlikti matavimus ir už šio intervalo ribų, tačiau mažėja rezultatų tikslumas);Tūrinė varža: 1 mΩcm – 1 MΩcm (galimybė atliki matavimus už šio intervalo ribų priklauso nuo bandinio storio);Bandinio diametras iki 76 mm.	Silicio, germanio mikrotechnologijos pramonėje.	dr. Vitalijus Bikbajevas

Bandinių charakterizavimas Holo metodu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Įvairių medžiagų charakterizavimas, savitosios varžos, krūvininkų judrio bei koncentracijos matavimui, panaudojant Holo efektą.Yra voltamperinės charakteristikos matavimo galimybė;Matuojama 1 nA – 20 mA srovės ribose;Maksimalus bandinio dydis: 2 cm×2 cm;Matuojamos medžiagos: visi puslaidininkiai, įskaitant Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaN, InP, GaN (n ir p tipo);Savitosios varžos matavimo ribos: 10^-4 – 10⁷ Ω∙cm;Krūvininkų judrio matavimo ribos: 1 – 10⁷ cm²/V∙s;Krūvininkų koncentracija: 10⁷ – 10²¹ cm^-3;Kiti matuojami dydžiai: laidumas, magnetovarža, Holo koeficientas, V/H varžos santykis.	Si, GaN, GaAs mikroelektronikos bei optoelektronikos (pvz. šviestukų, lazerių, saulės celių, jutiklių) pramonėje.	dr. Vitalijus Bikbajevas

Puslaidininkinių struktūrų ėsdinimas sausuoju būdu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Naudojant įrangą ėsdinamos įvairus puslaidininkiniai dariniai.Vienu metu ėsdinamas vienas bandinys, geriausi rezultatai pasiekiami bandiniams, kurių diametras yra iki 2‘‘, tačiau yra galimybė ėsdinti bandinius iki 8‘‘ diametro. Ėsdinamų darinių gylio ir pločio santykis iki 20:1.	Paslauga tinkama neorganinių puslaidininkių inžinerijos pramonei, kai reikia ėsdinti mesa struktūras.	Ignas Reklaitis

Spartus medžiagų atkaitinimas 0 – 1200 ^oC

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Temperatūrinis puslaidininkių plokštelių apdorojimasKaitinimo krosnis pritaikyta kaitinti medžiagas iki 1200 °C, vakuume, azoto, argono arba deguonies atmosferoje arba išvardintų dujų mišinyje. Kaitinimo sparta >150 K/s, vėsimo greitis ~100 K/min. Kaitinimo kameros dydis 10x100x100 mm.	Paslauga skirta aktyvuoti neorganinių puslaidininkių epitaksinius sluoksnius, taip pat atkaitinti metalizuotus kontaktus.	Ignas Reklaitis

Medžiagų poliravimas

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Medžiagų poliravimas silicio karbido abrazyvais su įrenginiu Streurs LaBopol-1.Poliravimo disko sukimosi sparta 250 RPM (apsisukimai per minutę), bandinių laikiklis sukasi 8 RPM (apsisukimai per minutę).	Paslauga skirta neorganinių puslaidininkių inžinerijos, optikos ir lazerių pramonės atstovams.	Ignas Reklaitis

Molekulių optinio polinimo tyrimas

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Optinio polinimo stendas suteikia galimybę, naudojant tarpusavyje koherentinius pirmos ir antros Nd:YAG lazerio spindulius, plonasluoksnėse polimerinėse medžiagose sukurti antros eilės netiesinės optinės jutos tūrines gardeles. Stendo priemonėmis yra registruojamos šių tūrinių gardelių rašymo bei relaksacijos (jų išsitrynimo) kinetikos, pagal kurių pavidalą, modeliuojant optinio polinimo eigą, galima nustatyti esminius procesus bei juos charakterizuojančius parametrus (pavyzdžiui, azochromoforų cis→trans termoizomerizacijos sparta, molekulių orientacinės difuzijos koeficientai). Optinio polinimo kinetikas galima matuoti plačiame temperatūrų intervale (10 – 300 K), tokiu būdu nustatant parametrų aktyvacines energijas.	Organinės elektronikos medžiagų/prietaisų (optinių atmintinių ir holografinių laikmenų, organinių funkcinių optoelektronikos prietaisų bei jutiklių) pramonė. Chemijos ir biochemijos pramonė (sritys, kuriose svarbios izomerizacinės polinių molekulių savybės).Galima matuoti optinio polinimo procesus, kuriuos charakterizuojanti laiko pastovioji yra ne trumpesnė nei 10 s. Bandinių kiekis neribojamas. Yra galimybė matuoti fotoindukuotos lužio rodiklio anizotropijos kinetikas, tirti antros ir trečios eilės netiesinius optinius medžiagų jautrius.	dr. Roland Tomašiūnas

Didelių radiacinių apšvitų aplinkos dozimetrinis monitoringas

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Analizuojami Si PiN detektoriai, kurie buvo „surinke“ informaciją apie aplinkoje esančią radiacinę spinduliuotę.Vienas bandinys vieno matavimo metu.Lazerio impulso trukmė – 0,4 ns, pirmos harmonikos spinduliuotės bangos ilgis 1062 nm. Mikrobangų generatoriaus diapazonas 19 - 24 GHz, didžiausia išspinduliuojama mikrobangų galia – 50mW.	Aukštųjų energijų hadronų greitintuvaiBranduolinės energetikos įmonės	dr. Eugenijus Gaubas

Giliųjų centrų foto-jonizacinė spektroskopija

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Naudojant šią įranga galima foto-jonizacijos būdu aptikti ir identifikuoti giliuosius lygmenis puslaidininkiniuose prietaisuose. (būtina sąlyga, kad bandinys turėtų nemetalizuota sritį).	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės.Radiacinių, terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos darinių funkcinėms charakteristikoms identifikuoti.Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.	dr. Eugenijus Gaubas

Volt-amperinių ir volt-faradinių charakteristikų temperatūrinių kitimų kombinuoti tyrimai sandūrų darinių funkciniams parametrams įvertinti

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Sukomponuotas VU automatizuotų tyrimų įrenginys, įgalinantis temperatūrinius matavimus, keičiant išorinę įtampą 0 – 600 V diapazone, esant mažiems šaltinio aukštadažniams triukšmams. Matuoja CV IV charakteristikų temperatūrinius kitimus.	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonėsLazerių gamybos įmonės.Radiacinių, terminių ir kombinuotų apdorojimų technologijos Si darinių funkcinėms charakteristikoms kontroliuoti.Sandūrinių puslaidininkinių prietaisų kokybės kontroleiRadiacinių poveikių ex situ kontrolei.Optoelektronikos elementų dažninių charakteristikų kontrolei	dr. Eugenijus Gaubas

Sandūrų barjero parametrų kitimų Si, Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkinių prietaisų tyrimai, keičiant temperatūrą

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Leidžia nustatyti sandūrų barjero parametrų kitimus.	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės.Radiacinių, terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos darinių funkcinėms charakteristikoms identifikuoti.Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.	dr. Eugenijus Gaubas

Giliųjų lygmenų, suformuojamų technologinėmis procedūromis, spektro kitimų tyrimai

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Naudojant giliųjų lygmenų talpinės spektroskopijos metodikas tiriamas puslaidininkinis darinys. Užrašomi spektrai (talpos ar srovės pokyčio priklausomybė nuo temperatūros), pagal kuriuos sudaromi Arenijaus grafikai, iš kurių skaičiuojami gaudykles energija ir skerspjūvis. Bandiniams keliami specialus reikalavimai.Naudojama įranga HERA – DLTS System FT 1030 spektrometras	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės.Terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos Si darinių funkcinėms charakteristikoms modifikuoti bei valdyti.Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.	dr. Eugenijus Gaubas

Puslaidininkinių medžiagų krūvininkų gyvavimo trukmių matavimai skersinės ir planarinės žvalgos būdais

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Krūvininkų gyvavimo trukmių nustatymas puslaidinikiniose medžiagose.	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės. Nanoelektronikos medžiagų formavimo įmonės.Kompiuteriu valdomi matavimai. Gyvavimo trukmės matavimas iki 1 ns, mikrobangų atsako signalo jautrumas ~0,5 mV.Vienas bandinys vieno matavimo metu.	dr. Eugenijus Gaubas

Puslaidininkinių medžiagų krūvininkų gyvavimo trukmių matavimai pašvitos būdu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
In-situ metu yra matuojamas bandinys žadinant krūvininkus su šviesos pluoštelių ir stebint jų gyvavimo trukme mikrobangomis.	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės.Nanoelektronikos medžiagų formavimo įmonės.Vienas bandinys vieno matavimo metu.Gyvavimo trukmės in-situ matavimo nuotolis daugiau kaip 15 m. Kompiuteriu valdomi matavimai. Gyvavimo trukmės matavimas iki 1 ns, mikrobangų atsako signalo jautrumas ~0,5 mV.	dr. Eugenijus Gaubas

Radiacinių defektų evoliucijos ir rekombinacijos parametrų kaitos in situ matavimai, apšvitinant aukštųjų energijų dalelėmis

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Krūvininkų gyvavimo trukmių nustatymas puslaidinikiniose medžiagose in-situ metu	Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės.Dalelių greitintuvai.Vienas bandinys vieno matavimo metu.Gyvavimo trukmės in-situ matavimo nuotolis daugiau kaip 15 m. Kompiuteriu valdomi matavimai. Gyvavimo trukmės matavimas iki 1 ns, mikrobangų atsako signalo jautrumas ~0,5 mV.	dr. Eugenijus Gaubas

Paviršiaus morfologijos matavimas atominės jėgos mikroskopu (AFM)

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Atominės jėgos mikroskopu (AFM) yra tiriami paviršiaus nelygumai. Šios rūšies mikroskopuose topografinis vaizdas formuojamas naudojant zondą, kuris slenkamas bandinio paviršiumi. Nelygumų matmenys apskaičiuojami užregistravus zondo atsilenkimus.AFM skiriamoji geba ~10nmDidžiausias vieno matavimo plotas 80×80 µm².Matavimai atliekami kambario temperatūroje.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė.	prof. Gintautas Tamulaitis

Erdviškai išskirtos liuminescencijos matavimai konfokaliniu mikroskopu

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Konfokalinis mikroskopas naudojamas tirti bandinių liuminescencijos erdvinį pasiskirstymą. Šiuo mikroskopu šviesa yra registruojama tik iš objektyvo plokštumos, todėl tai pagerina skiriamąja gebą ir leidžia atlikti optinius pjūvius gilyn į bandinį. Bandinių liuminescencija žadinama nuolatinės veikos He-Cd lazerio 442 nm bangos ilgio spinduliuote arba lazerinio diodo 405 nm bangos ilgio spinduliuote. Liuminescencija gali būti registruojama spektrometru su surištųjų krūvininkų kamera arba fotodaugintuvu.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė.Konfokalinio mikroskopo skiriamoji geba bandinio paviršiaus plokštumoje yra apie 250 nm, o plokštumoje, statmenoje bandinio paviršiui 800 nm.Didžiausias vieno matavimo plotas 80×80 µm².He-Cd lazerio bangos ilgis 442 nm.Lazerinio diodio bangos ilgis 405 nm.Liuminescencija registruojama 350-850 nm bangos ilgių ruože.Aukštos skaitinės apertūros (NA) objektyvai: 50× NA=0,55; 60× NA=0,8; 100× NA=0,9.Matavimai atliekami kambario temperatūroje.	prof. Gintautas Tamulaitis

Erdviškai išskirtos liuminescencijos matavimai artimojo lauko skenuojančiuoju optiniu mikroskopu (SNOM)

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Artimojo lauko skenuojantysis optinis mikroskopas (SNOM) naudojamas tirti bandinių liuminescencijos erdvinį pasiskirstymą. Vaizdams gauti naudojamas zondas, turintis mažesnio nei bangos ilgis diametro apertūrą, pro kurią yra žadinama fotoliuminescencija. Šio metodo privalumas – galimybė vienu metu gauti aukštos erdvinės skyros optinius vaizdus ir bandinio paviršiaus topografinę informaciją. Optinė skiriamoji geba yra ~100 nm. Paviršiaus morfologija charekterizuojama ~200 nm skiriamaja geba.Bandinių liuminescencija žadinama nuolatinės veikos He-Cd lazerio 442 nm bangos ilgio spinduliuote arba lazerinio diodo 405 nm bangos ilgio spinduliuote. Liuminescencija gali būti registruojama spektrometru su surištųjų krūvininkų kamera arba fotodaugintuvu.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė.Artimojo lauko optinio mikroskopo skiriamoji geba ~100 nm, paviršiaus morfologija charekterizuojama ~200 nm skiriamaja geba.Didžiausias vieno matavimo plotas 80×80 µm².He-Cd lazerio bangos ilgis 442 nm.Lazerinio diodo bangos ilgis 405 nm.Liuminescencija registruojama 350-850 nm bangos ilgių ruože.Matavimai atliekami kambario temperatūroje.	prof. Gintautas Tamulaitis

Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis NIR spektro ruože

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Liuminescencijos NIR spektro ruože yra naudojamas NIR spektrometras su CCD kamera, pagaminta InGaAs pagrindu.Šia sistema gali būti atliekami liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis 0,8-2,2 µm bangos ilgių intervale.Bandinių liuminescencija žadinama nuolatinės veikos He-Cd lazeriu (442 nm), He-Ne lazeriu (632 nm) arba lazerinio diodo (405 nm) spinduliuote.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė. CCD spektrinis intervalas – 0,8-2,2 µm Yra galimybė signalą į spektrometrą įvesti šviesolaidžiu He-Cd lazerio bangos ilgis – 442 nm, maksimali galia 50 mW He-Ne lazerio bangos ilgis – 632 nm, maksimali galia 10 mW Lazerinio diodo bangos ilgis – 405 nm, maksimali galia 150 mW. Liuminescencijos žadinimui galima panaudoti norimo bangos ilgio nuolatinės veikos arba impulsinį lazerį, arba šviestuką.	dr. Jūras Mickevičius

Liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis ir su nanosekundine laikine skyra UV-VIS spektro ruože

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Liuminescencijos UV-VIS spektro ruože tyrimams yra naudojamas nanosekundinės liuminescencinės spektroskopijos kompleksas.Šiuo kompleksu gali būti atliekami liuminescencijos matavimai stacionariomis ir kvazistacionariomis sąlygomis bei su nanosekundine laikine skyra 180-850 nm bangos ilgių intervale.Aukštos spektrinės rezoliucijos matavimams yra naudojamas vandeniu šaldomas fotodaugintuvas kartu su dvigubu monochromatoriumi. Liuminescencijos matavimams su laikine skyra yra naudojama sustiprinta surištųjų krūvių kamera (ICCD).Bandinių liuminescencija gali būti sužadinama nuolatinės veikos He-Cd lazeriu (325 nm), nanosekundiniu YAG:Nd lazeriu ir jo aukštesnėmis harmonikomis (iki 5-tos harmonikos, 213 nm) bei nanosekundiniu parametriniu lazeriu, kurio bangos ilgis gali būti keičiamas intervale 210-2300 nm.Matavimai gali būti atliekami temperatūrų intervale 8-300 K, naudojant uždaro ciklo helio kriostatą.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė. Fotodaugintuvo spektrinis intervalas 160-930 nm ICCD spektrinis intervalas 180-850 nm Temperatūrų intervalas – 8-300 K Laikinė skyra – 2 ns He-Cd lazerio bangos ilgis – 325 nm, maksimali galia 6 mW YAG:Nd lazerio ir harmonikų modulių bangos ilgiai – 1064, 532, 355, 266, 213 nm, impulso trukmė – 4 ns, maksimali impulso energija – 250 mJ@1064 nm, 120 mJ@532 nm, 80 mJ@355 nm, 30 mJ@266 nm, 8 mJ@213 nm Parametrinio lazerio bangos ilgių intervalas – 210-2300 nm, impulso trukmė – 4 ns, maksimali impulso energija – iki 5 mJ@210-420 nm, iki 30 mJ@420-2300 nm Žadinimo galios tankių intervalas – 100 mW/cm²–10 MW/cm²	dr. Jūras Mickevičius

Bekontaktis krūvio nešėjų gyvavimo trukmės ir difuzijos koeficiento nustatymas puslaidininkiuose ir jų dariniuose

Tikslus paslaugos aprašymas	Panaudojimo galimybės (konkrečios veiklos)	Atsakingas personalas
Krūvininkų elektrinių parametrų – difuzijos koeficiento, judrio, gyvavimo trukmės, paviršinės rekombinacijos greičio – išmatavimas naudojant įprastinius sužadinimo-zondavimo ir unikalius dinaminių difrakcinių gardelių metodus. Naudojami metodai yra paremti tiriamosios medžiagos apšvietimu trumpu reikiamo bangos ilgio ir erdvinės formos lazerio impulsu ir tolesniu sužadinimo sekimu laike užvėlintais impulsais. Šių tyrimų pranašumą sudaro tai, kad neardančiu būdu ir be elektrinių kontaktų galima nustatyti esminius medžiagos ar puslaidininkinio darinio elektrinius parametrus.	Puslaidininkių ir puslaidininkinių darinių pramonė ir tyrimo įstaigosGalima išmatuoti difuzijos koeficientus didesnius nei 0,1 cm²/s ir gyvavimo trukmes ilgesnes už 300 fs. Galima tirti medžiagas, kurių draustinių energijų tarpas yra 0,6-5,8 eV ribose. Esant poreikiui, yra galimybės ištirti matuojamų parametrų priklausomybes nuo temperatūros (10-700 K) ir injekcijos (10¹⁸-10²⁰ cm^-3 krūvininkų tankiams).	dr. Ramūnas Aleksiejūnas

Fizikos fakultetas

Fotonikos ir nanotechnologijų institutas

Atvira prieiga

Puslaidininkių technologijų ir charakterizavimo atviros prieigos centras (PTC APC)